Wie auch der bipolare Transistor, ist der MOSFET auch in einem ähnlichen Gehäuse verpackt. Den Typ, der hier verwendet wird, besitzt ein kleines TO92-Gehäuse. Die Anschlussbelegung ist in der Abbildung zu sehen. Für die meisten Versuche hier, verwenden wir den BS170. Als entsprechender  Komplementärtyp kann der BS250 verwendet werden.

Wie auch schon beim J-FET, findet man bei diesen Transistor die 3 Anschlüsse Drain, Source und Gate vor. Gegenüber dem J-FET sollte man hier aber D und S nicht vertauschen. Durch die Produktionsart entsteht parallel zur DS-Strecke eine Diode, die normalerweise in Sperrichtung geschaltet ist.

Wird die Schaltung in Betrieb genommen und S1 betätigt, leuchtet die Leuchtdiode D1 auf. Beim loslassen des Tasters verlischt diese wieder. Um den FET durchsteuern zu lassen benötigt man eine recht hohe Spannung. Während ein bipolarer Transistor ca. 0.7 V zum Durchsteuern benötigt, muss man hier mindestens 3 V anlegen, damit dieser die DS-Strecke komplett frei gibt. Dies hängt damit zusammen, das die Gate ein elektrisches Feld aufbauen muss und dieses benötigt eine recht hohe Energie. Man muss aber auch dafür sorgen, dass dieses Feld wieder abgebaut wird, wenn die Steuerspannung entfällt. Dafür ist der Widerstand R1 zuständig. Fehlt dieser, kann das Feld nicht abgebaut werden und der FET bleibt durchgesteuert.

Dies kann man selbst ausprobieren, indem man R1 aus der Schaltung entfernt und dann wiederum den Taster betätigt. Wie zu erwarten, leuchtet D1 hier auch auf. Lässt man nun den Taster aber los, bleibt die LED D1 in Betrieb. Da sich die Energie, die sich am Gate gesammelt hat, nicht abbauen kann, bleibt die DS-Strecke freigegeben. Sobald der Widerstand wieder eingesetzt wird, geht die Leuchtdiode wieder aus.

Das Feld, was sich am Gate aufbaut stellt auch eine Kapazität dar, welches in Schaltungen mit höheren Frequenzen auch gleichzeitig ein Problem darstellt. Dadurch ist der Einsatz von MOSFETs nur in Schaltungen mit niedrigen Frequenzen möglich. Man kann es sich so vorstellen als wäre ein kleiner Kondensator vor dem Gate angeschlossen.

Der Strom, der benötigt wird, um das Gate anzusteuern ist äußerst gering. Beim BS170 liegt dieser im nA-Bereich. So ein geringer Strom lässt sich mit normalen Mitteln gar nicht mehr messen.

Jeder kann sich vorstellen, dass diese Eigenschaft für viele Bereiche in der Elektronik vom Vorteil ist. Dadurch sind Schaltungen möglich, die so wenig Strom verbrauchen, dass sie mit Batteriebetrieb eine sehr lange Laufdauer besitzen. Aus den MOSFETs ist eine ganze Schaltkreisfamilie der Digitaltechnik geworden. Die CMOS-Technik.

Der Widerstand in der DS-Strecke ist ziemlich konstant. Es spielt hier keine Rolle, ob sie den FET nun mit 10 mA oder 200 mA belasten. Wer die Spannung bei unterschiedlichen Strömen misst und dann mit Hilfe des ohmschen Gesetzes den Widerstand von der DS-Strecke ermittelt, wird feststellen, dass dieser bei unterschiedlichen Belastungen immer ziemlich gleich ist.

Um dies zu beweisen, belasten wir den FET hier um das Doppelte.

Wird nun wieder die Spannung über der DS-Strecke gemessen, kann man sofort sehen, dass sich die Spannung verdoppelt hat. Würde der gleiche Versuch mit einem bipolaren Transistor durchführen, käme man zu einem anderen Ergebnis.

Dieser Wert, welcher als R_DS(On) bezeichnet wird, ist eines der wichtigsten Kenndaten eines MOSFETs. Bei Leistungs-FETs liegt dieser Wert nur bei einigen mOhm. Beim BS170 ist er relativ hoch und liegt bei einigen Ohm. Relativ zur Impedanz der angeschlossenen Last aber noch ein verschwindend geringer Wert.

Hier wird eine Spannung von 0V bis hin zur Betriebsspannung an das Gate des MOSFETs gelegt. Wie man hier nachmessen kann, fängt die Leuchtdiode erst bei einer Spannung von weit über 1V an zu leuchten und erreicht mit ca. 3V Gatespannung ihre volle Leuchtkraft.